comutação

Menos perdas de comutação: SiC-MOSFETs de eficiência energética da Rohm na Rutronik

Os Sic-MOSFETs são especialmente adequados para o uso eficiente de energia em fontes de alimentação de servidores, sistemas UPS, inversores de energia solar e estações de carregamento de EV.

RUTRONIK Elektronische Bauelemente GmbH
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Seis MOSFETs de carboneto de silício com estrutura de trincheira (650 V / 1200 V) compõem a série SCT3xxx xR da Rohm. A linha de produtos vem com um encapsulamento de 4 pinos (TO-247-4L), maximizando os desempenhos de comutação e reduzindo as perdas de comutação em até 35% em relação aos tipos de encapsulamento convencionais de 3 pinos (TO-247N). Os Sic-MOSFETs são especialmente adequados para o uso eficiente de energia em fontes de alimentação de servidores, sistemas UPS, inversores de energia solar e estações de carregamento de EV. Estão disponíveis em www.rutronik24.com.

Ao usar o pacote TO-247-4L, o driver e os pinos da fonte de alimentação são separados, minimizando assim os efeitos do componente de indutância parasita. Isso contribui para um consumo de energia mensuravelmente menor, o que é particularmente interessante para aplicações de alto desempenho onde uma fonte de alimentação ininterrupta deve ser fornecida. Com a crescente demanda por serviços em cloud devido ao avanço da IA ​​e da IoT, os Data Centers enfrentam o desafio de reduzir o consumo de energia enquanto a capacidade e o desempenho aumentam simultaneamente.

A placa de avaliação correspondente (P02SCT3040KR-EVK-001) é equipada com CIs de gate driver (BM6101FV-C), otimizados para conduzir dispositivos SiC. Vários CIs de fonte de alimentação e componentes discretos facilitam a avaliação e o desenvolvimento de aplicativos. A compatibilidade com os 2 tipos de pacote (TO-247-4L e TO-247N) permite a avaliação nas mesmas condições. A placa pode ser usada para teste de pulso duplo e avaliação de componentes em circuitos boost, inversores de 2 níveis e circuitos buck de retificação síncrona.

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